收藏本站
Si4816DY
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
24
1 8
12
V GS = 10 V thr u 4 V
3 V
30
24
1 8
12
6
6
T C = 125 °C
0
1 V
2 V
0
25 °C
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.030
0.024
0.01 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
1000
8 00
600
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.012
0.006
V GS = 10 V
400
200
C oss
C rss
0.000
0
0
8
16
24
32
40
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V DS = 15 V
I D = 6.3 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 6.3 A
8
1.4
6
4
1.2
1.0
0. 8
2
0.6
0
0.4
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 71121
S09-0868-Rev. G, 18-May-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4818DY-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
SI4830ADY-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
SI4834BDY-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
SI4840-DEMO SI4840 DEMO AND EVAL BOARD
SI4842BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
SI4844-A10-GU IC AM/FM RX FOR DIGITAL RADIOS
SI4848DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 8-SOIC
SI4866BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI4818DY 功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4818DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4818DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4818DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4818DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A 22/15.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4820-A10-CU 功能描述:IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP RoHS:是 类别:RF/IF 和 RFID >> RF 接收器 系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS 产品变化通告:Product Discontinuation 09/Jan/2012 标准包装:50 系列:* 频率:850MHz ~ 2.175GHz 灵敏度:- 数据传输率 - 最大:- 调制或协议:- 应用:* 电流 - 接收:* 数据接口:PCB，表面贴装 存储容量:- 天线连接器:PCB，表面贴装 特点:- 电源电压:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:0°C ~ 85°C 封装/外壳:40-WFQFN 裸露焊盘 供应商设备封装:40-TQFN-EP（6x6） 包装:托盘
SI4820-A10-CUR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:CONSUMER ELECTRONICS. AM/FM RX FOR MECHANICAL TUNED RADIOS, - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP
SI4820DY 功能描述:MOSFET 30V 10A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube